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SKハイニックス、次世代3ビットセルを来年量産し米に開発センター作る

「NAND型部品のグローバルトップの挑戦」 

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SKハイニックスは次世代NAND型フラッシュメモリの「トリプルレベルセル(TLC/3ビットセル)」の量産に乗り出す。イタリアに続き米国にもNAND型フラッシュメモリ開発センターを置く。NAND型の後発者から先頭メーカーに背伸びするための足場だ。

SKハイニックスによると3日、来年の上半期から16ナノ級TLCを顧客に供給する予定だ。TLCはセルあたり3ビット(bit)を保存できるフラッシュメモリだ。既にSKハイニックスはセルあたり2ビットを格納するMLCを製造しているが、来年にはこの製品よりも一段階進化したTLCを量産するという話だ。TLCはMLCよりも単一面積当たりにより多くのデータを保存することが可能なため、コスト競争力が高い。サムスン電子はすでに2年前にTLC市場に進出し、現在はサムスン電子と東芝が市場をリードしている。

SKハイニックスは早ければ来年、米国にNAND型フラッシュメモリ開発センターを建てる。世界各地の優秀な人材が集まるアメリカに開発センターを置いて、NAND型フラッシュメモリのトータルソリューションを提供する基盤を強化するためだ。先立ってSKハイニックスは2012年6月、イタリアのNAND型フラッシュメモリ開発会社「アイデアフラッシュ」を買収し、SKハイニックスヨーロッパ技術センターに転換してNAND型フラッシュメモリの開発に注力している。

あわせてSKハイニックスは清州工場のNAND型フラッシュメモリの製造競争力を補強し、昨年11月には16ナノメートルプロセスを適用したMLC NANDフラッシュの本格的な量産を開始した。今年も米「バイオリンメモリ」のNAND型フラッシュソリューション部門(PCIeカード事業)と、ベラルーシ所在の「ソフテック」のファームウェア事業部を買収し、NAND型フラッシュメモリコントローラの競争力を強化した。

NAND市場はますます成長している。半導体市場調査会社のガートナーは、世界のNAND型フラッシュメモリ市場は今年の305億ドルに続いて、来年には328億ドルに成長し、2016年は347億ドル、2017年には409億ドルに拡大すると予想している。2013~2018年の年平均成長率は8.5%に達している。SKハイニックスの金真雄(キム・ヂンウン)NAND型開発本部長は、「次世代のNAND市場を先行獲得するためには16ナノ派生製品と3D NAND型製品の開発も、競合他社よりも一歩先を行かねばならない」とし、「またSSDのように、NAND型ソリューションの価値を高められる製品も新たに発掘するなど、今年までのNAND部門世界1位に向けた足場をしっかり固める計画だ」と明らかにした。

市場調査機関のアイサプライによると、第2四半期の世界のNAND型フラッシュメモリ市場は、サムスン電子が40.6%を占めた。続いて東芝とマイクロンがそれぞれ27.3%と19.4%を占めており、SKハイニックスは12.6%を記録した。SKハイニックスNAND型部門の売上げは全体売上げの20%であり、この第3四半期には9000億ウォンを超える売上げをNAND型で上げた。
  • 毎日経済_チョン・スンファン記者 | (C) mk.co.kr
  • 入力 2014-11-03 17:41:15




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