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SKハイニックス、次世代DRAM開発


  • SKハイニックス、次世代DRAM開発

SKハイニックスは12日、第2世代10ナノ(1ナノ= 10億分の1メートル)マイクロプロセス技術を活用して、生産性と電力効率を高めた「8ギガビットDDR DRAM」の開発に成功し、来年の第1四半期から量産に着手すると明らかにした。

マイクロプロセス競争は「回路の線幅をどのよう縮小するか」が重要な技術で、50ナノから30ナノまでは第1世代・第2世代などの世代の区別なく、製品が出荷された。しかし20ナノメートルで技術開発が限界に達し、20ナノメートル台後半である第1世代、中盤にあたる第2世代、前半の第3世代に区別して製品を出荷している。

SKハイニックスによると、今回の製品は10ナノメートルの第1世代製品よりも生産性が約20%向上し、消費電力は15%以上減少したことが特徴だ。また、毎秒A4書類で28万8000枚に該当するデータを送ることができる3200Mbpsのデータ転送速度を安定して実現することができる。このためにデータ転送時に送受信信号を2倍に拡大した「4フェイズクローキング(Phase Clocking)」設計技術と消費電力を抑えながら、エラーは下げる「センスアンプ(Sense Amp)」技術を導入した。

SKハイニックスはまずPCとサーバ市場を皮切りに、携帯電話をはじめとするさまざまな応用先に、第2世代の10ナノプロセス技術を拡大適用する方針だ。SKハイニックスのキム・ソク常務は、「来年の第1四半期から供給に乗り出し、市場の需要に積極的に対応する」と強調した。現在、世界の半導体市場は10ナノメートルプロセス競争が盛んだ。サムスン電子が昨年、第2世代の10ナノDRAMを開発し、今回はSKハイニックスが成功したこともこのような背景からだ。

この日、DRAMエクスチェンジによると今年の第3四半期現在、全世界DRAMの市場シェアはサムスン電子45.5%、SKハイニックス29.1%、マイクロン21.1%、ナンヤ((Nanya)2.8%の順だった。サムスン電子は前四半期比で1.9%ポイント上昇した一方で、SKハイニックスは0.8%ポイント、マイクロンは0.5%ポイント、ナンヤは0.4%ポイントそれぞれ下落した。国別にシェアを見ると、同じ期間に韓国が74.0%で74.9%で0.9%ポイント上昇した。
  • 毎日経済_イ・サンドク記者 | (C) mk.co.kr
  • 入力 2018-11-12 19:37:09




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